LED 正装芯片是最早出现的芯片结构，也是小功率芯片中普遍使用的芯片结构。该结构，电极在上方，从上至下材料为：P-GaN，发光层，N-GaN，衬底。所以，相对倒装来说就是正装。
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噜噜噜 2018-06-01 10:20:22从人类基因看生鲜照明
1720817412 2018-05-05 11:13:43LIGHTTOOLS中文说明书
Elaineluoy 2018-03-30 16:58:02新型LED均匀布光微结构设计和仿真
lkp6300 2018-03-13 12:17:02各主要国家电压
兼顾散热和封装的可靠性设计与表面贴装式将芯片直接焊接在铝基板上不同的是采用硅衬底过渡。同时在硅衬底上布置电路这一结构。这种结构的优点是可以通过硅衬底的过渡来降低热失配对封装结构的影响，同时硅衬底作为电路层则省去了器件引脚。通过对4×4的LED芯片阵列结构进行有限元模拟，分析了温度对带有硅衬底的LED芯片阵列封装可靠性影响。同时对硅衬底进行分析和总结。
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dengqiuxia 2017-01-12 16:54:49LED墙角灯特点及用途分析
文档中介绍了有关于LED的100个疑难解答，其中包括了LED常用名词定义、LED封装流程、LED封装工艺，大功率LED、SMD LED、发光机理、发光强度、色温、显色、外延片、衬底、芯片、LED照明、LED灯具、LED散热、LED市场、LED著名厂商、LED注意事项等与LED相关的各个方面。
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采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) ,在单晶硅衬底上生长氮化硅(SiN) 薄膜,再对薄膜进行快速热退火处理,研究了在不同温度下SiN 薄膜的退火特性. 通过椭圆偏振光仪测量了薄膜厚度和薄膜的折射率,发现退火后薄膜的厚度下降,折射率升高; 采用准稳态光电导衰减QSSPCD 测少数载流子寿命,发现少子寿命有很大程度的下降. 还研究了SiN 薄膜对多晶硅电池性
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17 2019-11-28 11:05:25高效叠焊组件的技术发展与市场前景
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17 2019-11-25 16:55:35周浪教授-光氢储充离网独立充电系统理念与实践OFweek2019
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) ,在单晶硅衬底上生长氮化硅(SiN) 薄膜,再对薄膜进行快速热退火处理,研究了在不同温度下SiN 薄膜的退火特性. 通过椭圆偏振光仪测量了薄膜厚度和薄膜的折射率,发现退火后薄膜的厚度下降,折射率升高; 采用准稳态光电导衰减QSSPCD 测少数载流子寿命,发现少子寿命有很大程度的下降. 还研究了SiN
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非晶硅太阳电池是 20 世纪 70 年代中期发展起来的一种新型薄膜太阳电池, 与其他太阳电池 相比,非晶硅电池具有以下突出特点: 1).制作工艺简单,在制备非晶硅薄膜的同时就能制作 pin 结构. 2).可连续,大面积,自动化批量生产. 3).非晶硅太阳电池的衬底材料可以是玻璃,不锈钢等,因而成本小. 4).可以设计成各种形式,利用集成型结构,可获得更高的输出电压和光电转换效率.
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针对传统硅衬底介质损耗大的现象，通过软件电磁仿真手段分析不同电阻率硅衬底上微带线的传输特性，系统研究电阻率变化对硅衬底微波传输特性的影响，并与基于MEMS三维加工的低阻硅衬底进行比较。
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外延片处于LED产业链中的上游环节，包括原材料、衬底材料及设备这三大领域。在LED外延片生长、芯片、芯片封装这三个环节中，外延片生长投资要占到70％，外延片成本要占到封装成品的70％。
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3D封装将用到各种不同的材料。例如前道材料中的低K材料、缓冲涂层和CMP研磨料，后道材料中的芯片键合膜、浆料、环氧模塑料、液态模封材料、衬底、阻焊剂等等。采用这些材料可以制作各种各样的先进封装。
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硅衬底LED芯片具有高性价比、方向光、高品质出光的特点，在某些细分高端领域市场，已经超越国际大厂，占据市场份额第一的位置，成为我国LED产业与国际大厂同台竞争的核心优势。由于具有完整的自主知识产权保护，产品可销往国际市场，不受国际专利限制，是名符其实的“中国芯”。
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采用铂电极为加热电阻，研究了厚度为 — 等离子体化学气相沉积工艺制备的氢化非晶硅薄膜的热导率随衬底温度的变化规律用光谱式椭偏仪拟合测量薄膜的厚度，得到了沉积速率随衬底温度变化规律，傅里叶红外表征了在 晶片衬底上制备的薄膜的红外光谱特性， 原子团键合模的震动对热量的吸收降低了薄膜热导率从动力学角度分析了薄膜热导率随平均温度升高而增大的原因，并比较了声子传播和自由电子移动在薄膜热导率变化上的作用差异。
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在si(111)衬底上分别预沉积0，0.1，0.5，1nm厚度的In插入层后，采用等离子辅助分子束外延法制备了纤锌矿结构的InN材料，结合x射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、吸收谱及光致发光谱研究了不同厚度的In插入层对外延InN晶体质量和光学特性的影响。XRD和SEM的测试结果表明，在si衬底上预沉积O．5nm厚的In插入层有利于改善外延InN材料的形貌，提高材料的晶体质量。吸收谱和
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利用一技术采用高氢稀释执、及残掺杂的方法, 在玻璃衬底上获得了厚度为, 电导率达到, 暗电导激活能小于, 拉曼晶化率超过的层材料。单室工艺制备微晶硅单结电池中, 用同样工艺条件沉积厚的层, 获得了效率达到的电池。系列实验结果表明,随硼烷浓度的增加, 材料的生长速度增加。薄膜的透过率在一定程度上受到有效硼掺杂的影响, 低的有效掺杂, 降低薄膜的透过率。
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图文详解图形蓝宝石衬底及其MOCVD外延生长。
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