薄膜太阳电池是在廉价的玻璃、不锈钢或塑料衬底上附上非常薄的感光材料制成，比用料较多的晶体硅技术造价更低，其价格优势可抵消低效率的问题。
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17 2019-11-28 11:05:25高效叠焊组件的技术发展与市场前景
17 2019-11-28 10:51:31铸锭单晶——光伏竞价时代的选择
17 2019-11-25 16:55:35周浪教授-光氢储充离网独立充电系统理念与实践OFweek2019
一种柔性不锈钢衬底上高光电转换效率Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)吸收层的沉积和处理方法，该沉积和处理方法为采用改进的三步共蒸发和Na掺杂处理CIGS吸收层的方法。改进的三步共蒸发法为先在Mo表面沉积CuGaSe2薄层，随后采用类似三步共蒸发法的前两步，分别沉积(InGa)2Se3预制层和富铜化学计量比的Cu(InGa)Se2和二次相CuxSe，然后用Br2水溶液刻蚀掉二次相CuxSe，
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目前单纯一步电沉积还不能有效控制CIGS薄膜化学计量比，需要化学刻蚀或者和物理气相沉积来调整原子比例，对于工业化生产柔性衬底上辊到辊顺序电沉积是重要的发展方向。
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TPT、TPE复合膜是目前为止太阳电池封装上最为理想的保护性结构材料。目前，国内外的太阳电池生产企业基本上采用TPT、TPE复合膜作太阳电池的衬底材料。
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文章报道了通过适当氢稀释(RH一15)和合适的衬底温度(Ts一170~C)下，用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅(na—si：H)薄膜，并将其用作pin太阳电池的本征层。经过电池结构和工艺条件的优化设计，在p／i，i／n界面插入渐变带隙缓冲层，制备出了glass／ITO／p-a-SiC：H／i—na—si：H／n—nc—si：H／
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所谓“单室，多片玻璃衬底制造技术”就是指在一个真空室内，完成P、I、N三层非晶硅的沉积方法。作为工业生产的设备，重点考虑生产效率问题.
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硅薄膜太阳电池技术是光伏领域最具低成本优势的光伏技术, 目前已成为各国光伏计划支持的重点。相比于 非晶硅电池, 相变区的微晶硅薄膜太阳电池几乎没有光致衰退, 且具有良好的长波段光谱响应特性, 可以和非晶硅薄膜电池相结合制备成叠层电池。而当电池衬底使用柔性薄膜材料后, 薄膜电池的研制工艺技术更具有特殊性。本文回顾了硅基薄膜电池的研究历史,
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采用VHF-PECVD 技术制备了不同衬底温度的微晶硅薄膜样品。傅立叶变换红外吸收（FTIR）对制备薄膜进行了结构方面的测试分析。结果表明：随着衬底温度的升高,材料的微结构因子（R）逐渐增大,薄膜中氧含量也逐渐增加；同高衬底温度相比,低温（170℃）制备的材料易于后氧化，这说明低温制备材料的稳定性不好。
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Q：Cree 公司生产红光LED 芯片吗？ A ：Cree 公司一直以来都没有生产红光LED 芯片，只有蓝光、绿光和紫外光LED 芯片。 Q：Cree 的芯片都是碳化硅（SiC）材料为衬底的吗？ A：目前Cree 公司的小功率LED 芯片都是采用碳化硅（SiC）材料为衬底的，而EZBright 系列LED 芯片 则采用Si 衬底结构。Cree
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该文报道了通过适当氢稀释(RH = 15) 和合适的衬底温度( Ts = 170°C) 下, 用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅( naOSi∶H)薄膜, 并将其用作p in太阳电池的本征层。经过电池结构和工艺条件的优化设计,在p / i, i/n界面插入渐变带隙缓冲层, 制备出了glass/ ITO /pOaOSiC ∶H / iOnaOSi∶H /nOncOSi∶H /Al结构的p
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本项目拟利用纳米硅薄膜带隙可调特性，通过控制纳米硅薄膜的制备工艺条件，采用变带隙和三叠层结构方案，在玻璃或不锈钢柔性衬底上制备高效廉价、性能稳定的薄膜太阳电池。
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硅衬底GaN基LEDN极性n型欧姆接触研究
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论述了n 型硅做衬底的异质结太阳能电池的HIT 结构和生产该电池必备的工艺装备,并通过当前世界研究实例和发展动态,阐述了该技术在我国的应用前景和意义。
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制备高效硅薄膜太阳能电池, 需要在整个太阳光谱范围内进行有效陷光和保持低反射率。最近,对于硅衬底的陷光结构展开了大量的研究工作。
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蓝宝石虽然稳坐衬底材料的龙头地位，但随着产业的不断发展，竞争日趋激烈，基于蓝宝石衬底的技术发展变缓，再加上其成本高昂、专利壁垒等问题，众多专家与工程师开始寻求性价比更高的解决方案：不同的衬底材料，硅衬底被业界寄予了很高的厚望。
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