氢化纳米非晶硅(na—Si：H)p—i—n太阳电池文章报道了通过适当氢稀释(RH一15)和合适的衬底温度(Ts一170~C)下，用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅(na—si：H)薄膜，并将其用作pin太阳电池的本征层。经过电池结构和工艺条件的优化设计，在p／i，i／n界面插入渐变带隙缓冲层，制备出了glass／ITO／p-a-SiC：H／i—na—si：H／n—nc—si：H／
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