该文报道了通过适当氢稀释(RH = 15) 和合适的衬底温度( Ts = 170°C) 下, 用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅( naOSi∶H)薄膜, 并将其用作p in太阳电池的本征层。经过电池结构和工艺条件的优化设计,在p / i, i/n界面插入渐变带隙缓冲层, 制备出了glass/ ITO /pOaOSiC ∶H / iOnaOSi∶H /nOncOSi∶H /Al结构的p
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已有0人评价 浏览:254次 下载:21次 贡献者: yuqian 标签:纳米非晶硅 薄膜太阳电池 开路电压 PECVD 分类: 太阳能光伏
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