利用一技术采用高氢稀释执、及残掺杂的方法, 在玻璃衬底上获得了厚度为, 电导率达到, 暗电导激活能小于, 拉曼晶化率超过的层材料。单室工艺制备微晶硅单结电池中, 用同样工艺条件沉积厚的层, 获得了效率达到的电池。系列实验结果表明,随硼烷浓度的增加, 材料的生长速度增加。薄膜的透过率在一定程度上受到有效硼掺杂的影响, 低的有效掺杂, 降低薄膜的透过率。
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已有0人评价 浏览:182次 下载:17次 贡献者: yuqian 标签:硼掺杂 微晶硅薄膜 分类: 太阳能光伏
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