在si(111)衬底上分别预沉积0,0.1,0.5,1nm厚度的In插入层后,采用等离子辅助分子束外延法制备了纤锌矿结构的InN材料,结合x射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、吸收谱及光致发光谱研究了不同厚度的In插入层对外延InN晶体质量和光学特性的影响。XRD和SEM的测试结果表明,在si衬底上预沉积O.5nm厚的In插入层有利于改善外延InN材料的形貌,提高材料的晶体质量。吸收谱和
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贡献者: luoyuelian
标签:硅衬底LED
分类:
半导体照明
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