在si ( 111) 衬底上分别预沉积0,0.1,o.5,1 nm厚度的In插入层后,采用等离子辅助分子束外延法制备了纤锌矿结构的I nN材料,结合x射线衍射(XRD) 、扫描电子显微镜(SEM) 、吸收谱及光致发光谱研究了不同厚度的I n插入层对外延I nN晶体质量和光学特性的影响。XRD和SEM的测试结果表明,在s i 衬底上预沉积O.5 nm厚的I n插入层有利于改善外延I
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贡献者: luoyuelian
标签:硅衬底LED LED照明 LED技术
分类:
半导体照明
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