在si ( 111) 衬底上分别预沉积0，0．1，o．5，1 nm厚度的In插入层后，采用等离子辅助分子束外延法制备了纤锌矿结构的I nN材料，结合x射线衍射(XRD) 、扫描电子显微镜(SEM) 、吸收谱及光致发光谱研究了不同厚度的I n插入层对外延I nN晶体质量和光学特性的影响。XRD和SEM的测试结果表明，在s i 衬底上预沉积O．5 nm厚的I n插入层有利于改善外延I
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蓝宝石虽然稳坐衬底材料的龙头地位，但随着产业的不断发展，竞争日趋激烈，基于蓝宝石衬底的技术发展变缓，再加上其成本高昂、专利壁垒等问题，众多专家与工程师开始寻求性价比更高的解决方案：不同的衬底材料，硅衬底被业界寄予了很高的厚望。
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兼顾散热和封装的可靠性设计与表面贴装式将芯片直接焊接在铝基板上不同的是采用硅衬底过渡。同时在硅衬底上布置电路这一结构。这种结构的优点是可以通过硅衬底的过渡来降低热失配对封装结构的影响，同时硅衬底作为电路层则省去了器件引脚。通过对4×4的LED芯片阵列结构进行有限元模拟，分析了温度对带有硅衬底的LED芯片阵列封装可靠性影响。同时对硅衬底进行分析和总结。
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针对传统硅衬底介质损耗大的现象，通过软件电磁仿真手段分析不同电阻率硅衬底上微带线的传输特性，系统研究电阻率变化对硅衬底微波传输特性的影响，并与基于MEMS三维加工的低阻硅衬底进行比较。
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在si(111)衬底上分别预沉积0，0.1，0.5，1nm厚度的In插入层后，采用等离子辅助分子束外延法制备了纤锌矿结构的InN材料，结合x射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、吸收谱及光致发光谱研究了不同厚度的In插入层对外延InN晶体质量和光学特性的影响。XRD和SEM的测试结果表明，在si衬底上预沉积O．5nm厚的In插入层有利于改善外延InN材料的形貌，提高材料的晶体质量。吸收谱和
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利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2inch（5．08cm）Si（111）图形衬底上生长了GaN外延薄膜，在Al组分渐变AlGaN缓冲层与GaN成核层之间引入了AlN插入层，研究了AlN插入层对GaN薄膜生长的影响。结果表明，随着AlN插入层厚度的增加，GaN外延膜（002）面与（102）面X射线衍射摇摆曲线半峰全宽明显变小，晶体质量变好，同时外延膜在放置过程中所产生的裂纹密度逐渐减小直至不产生
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硅衬底LED芯片具有高性价比、方向光、高品质出光的特点，在某些细分高端领域市场，已经超越国际大厂，占据市场份额第一的位置，成为我国LED产业与国际大厂同台竞争的核心优势。由于具有完整的自主知识产权保护，产品可销往国际市场，不受国际专利限制，是名符其实的“中国芯”。
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