面向BTI特征分析的在运行中阈值电压测量传统CMOS工艺缩放技术的发展正逐渐逼近极限，迫切需要采用新材料和新器件设计。随着这些新材料和新设计的出现，人们非常关注潜在失效机理，并需要进行更多的可靠性测试。诸如偏温不稳定性（N-BTI和P-BTI）等失效机理需要高速信号源和测量功能才能解析快速恢复效应。通过分析包括在运行中测量在内的各种测量技术，有助于利用合适的仪器实现有效的测量解决方案。
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