本文制备具有16 个发光单元串联的HVLED芯片,采用光刻胶和SiO2双层掩膜使刻蚀后的隔离沟槽的侧壁平缓以便于电极连接,研究了隔离沟槽宽度对芯片电学性能和光学性 能的影响。使用商品化的镜面铝基板和陶瓷基板对HVLED进行封装,研究了注入电流、温度、基板对器件电学性能和光学性能的影响。
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贡献者: luoyuelian
标签:LED芯片 COB封装 GaN
分类:
半导体照明
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