本文讨论了A 型微晶硅薄膜性能随硅烷浓度(4:)的变化。采用B 射线衍射仪(B0C),拉曼光谱仪和傅立叶变换红外吸收光谱仪(3690)对薄膜的结构进行了表征。随硅烷浓度的增加,微晶硅薄膜材料的生长速率和暗电导率(!D)逐渐增大,光学带隙逐渐降低。当硅烷浓度为)’ *E 时,硅基薄膜材料是以非晶硅为主并有散落的微晶硅颗粒的非晶硅结构。当硅烷浓度为,’
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已有0人评价 浏览:244次 下载:23次 贡献者: yuqian 标签:太阳电池 微晶硅 非晶硅 分类: 太阳能光伏
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