微晶硅薄膜太阳能电池

微晶硅薄膜是介于非晶硅和单晶硅之间的一种混合相无序半导体材料，是由几十到几百纳米的晶硅颗粒镶嵌在非晶硅薄膜中所组成的

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微晶硅薄膜太阳能电池

微晶硅薄膜太阳能电池

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微晶硅薄膜太阳能电池的研究进展

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单室沉积非晶硅_非晶硅_微晶硅三叠层太阳电池的研究_郑新霞

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衬底温度对微晶硅薄膜结构的影响及其稳定性研究

采用VHF-PECVD 技术制备了不同衬底温度的微晶硅薄膜样品。傅立叶变换红外吸收（FTIR）对制备薄膜进行了结构方面的测试分析。结果表明：随着衬底温度的升高,材料的微结构因子（R）逐渐增大,薄膜中氧含量也逐渐增加；同高衬底温度相比,低温（170℃）制备的材料易于后氧化，这说明低温制备材料的稳定性不好。

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P型微晶硅薄膜材料性能的研究

本文讨论了A 型微晶硅薄膜性能随硅烷浓度（4:）的变化。采用B 射线衍射仪（B0C），拉曼光谱仪和傅立叶变换红外吸收光谱仪（3690）对薄膜的结构进行了表征。随硅烷浓度的增加，微晶硅薄膜材料的生长速率和暗电导率（!D）逐渐增大，光学带隙逐渐降低。当硅烷浓度为)’ *E 时，硅基薄膜材料是以非晶硅为主并有散落的微晶硅颗粒的非晶硅结构。当硅烷浓度为,’

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采用VHF-PECVD方法高速制备微晶硅材料及其太阳电池的研究

高速沉积微晶硅薄膜，实现微晶硅电池的产业化已经成为国际光伏领域研究热点。本论文采用VHF—PECVD技术，以高速制备器件质量级微晶硅材料为目标，系统研究了激发频率和总气体流量对微晶硅薄膜的电学性质及其结构特性的影响；同时也关注了有源层的厚度和气体总流量对微晶硅电池的影响。

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P型微晶硅薄膜材料的制备与优化

利用一技术采用高氢稀释执、及残掺杂的方法, 在玻璃衬底上获得了厚度为, 电导率达到, 暗电导激活能小于, 拉曼晶化率超过的层材料。单室工艺制备微晶硅单结电池中, 用同样工艺条件沉积厚的层, 获得了效率达到的电池。系列实验结果表明,随硼烷浓度的增加, 材料的生长速度增加。薄膜的透过率在一定程度上受到有效硼掺杂的影响, 低的有效掺杂, 降低薄膜的透过率。

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本征微晶硅薄膜和微晶硅电池的制备及其特性研究

：本文对VHF．PEcVD制备的本征微晶硅薄膜和电池进行了电学特性和结构特性方面的测试分析研究。电学测试结果给出制备薄膜的激活能为0．51eV，符合电池对材料的电学参数要求；拉曼散射谱测试结果计算得到样品的晶化率为63％；x射线衍射结果也证明材料晶化，同时(220)方向择优；首次在国内用VHF—PEcVD方法制备出效率为5％的微晶硅电池(^c=2lmA／cm2，yoc=0．46V，FF=51％，A

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VHF-PECVD制备微晶硅材料及电池

采用V HF2PECVD 技术制备了不同功率系列的微晶硅薄膜和电池,测试结果表明:制备的适用于微晶硅电池的有源层材料的暗电导和光敏性都在电池要求的参数范围内. 低功率或高功率条件下,电池从n 和p 方向的喇曼测试结果是不同的,在晶化率方面材料和电池也有很大的差别,把相应的材料应用于电池上时,这一点很重要.采用V HF2PECVD 技术制备的微晶硅电池效率为5 % ,Voc = 0145V , J

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完全的微晶硅太阳能电池——晶硅或者非晶硅电池特性

完全的微晶硅太阳能电池——晶硅或者非晶硅电池特性.

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单室VHF-PECVD制备微晶硅薄膜及其在电池中的应用

单室VHF-PECVD制备微晶硅薄膜及其在电池中的应用.

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微晶硅材料及其在太阳能电池中的应用

微晶硅(斗c—Si：田是国际公认的新一代硅基薄膜太阳能电池材料。综述了微晶硅的基本特性，器件质量级材料的表征参量，材料的生长技术，微晶硅在太阳电池中的应用及其发展前景。

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微晶硅太阳电池

微晶硅太阳电池。

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微晶硅薄膜太阳电池光稳定性研究

:利用VHF-PECVD方法沉积了一系列不同晶化率的微晶硅薄膜太阳电池，并分别在白光和红光两种光源下进行了老化实验。通过对比白光光照前后电池开路电压Voc和Raman谱的变化，结果发现光照前后微晶硅薄膜的微结构几乎没有变化;同时研究了不同晶化率微晶硅薄膜太阳电池在白光下的J-V特性与量子效率(QE)变化，以及低晶化率的太阳电池在两种光源下的衰退情况，结果表明微晶硅薄膜太阳电池光衰退现象主要发生在对

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