MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构,直流电不能通过,因而低频的表态驱动功率接近于零。
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已有0人评价 浏览:222次 下载:18次 贡献者: liujing 标签:IGBT MOSFET器件 分类: 电子工程
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