本发明涉及一种用于沉积薄膜太阳能电池的多级等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备,属于太阳能电池技术领域。
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17 2019-11-28 11:05:25高效叠焊组件的技术发展与市场前景
17 2019-11-28 10:51:31铸锭单晶——光伏竞价时代的选择
17 2019-11-25 16:55:35周浪教授-光氢储充离网独立充电系统理念与实践OFweek2019
本实用新型涉及太阳电池的生产技术领域,具体涉及一种用于提升PECVD镀膜均匀性的装置,包括沉积腔、射频电极和进气系统,还包括设置于沉积腔下方的真空系统,沉积腔为管式真空腔体,进气系统采用纵向进气的方式,包括位于沉积腔一侧的进气装置。
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2013-05_Manz_cSi_PECVD_EN.
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文章报道了通过适当氢稀释(RH一15)和合适的衬底温度(Ts一170~C)下,用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅(na—si:H)薄膜,并将其用作pin太阳电池的本征层。经过电池结构和工艺条件的优化设计,在p/i,i/n界面插入渐变带隙缓冲层,制备出了glass/ITO/p-a-SiC:H/i—na—si:H/n—nc—si:H/
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采用VHF-PECVD 技术制备了不同衬底温度的微晶硅薄膜样品。傅立叶变换红外吸收(FTIR)对制备薄膜进行了结构方面的测试分析。结果表明:随着衬底温度的升高,材料的微结构因子(R)逐渐增大,薄膜中氧含量也逐渐增加;同高衬底温度相比,低温(170℃)制备的材料易于后氧化,这说明低温制备材料的稳定性不好。
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该文报道了通过适当氢稀释(RH = 15) 和合适的衬底温度( Ts = 170°C) 下, 用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅( naOSi∶H)薄膜, 并将其用作p in太阳电池的本征层。经过电池结构和工艺条件的优化设计,在p / i, i/n界面插入渐变带隙缓冲层, 制备出了glass/ ITO /pOaOSiC ∶H / iOnaOSi∶H /nOncOSi∶H /Al结构的p
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高速沉积微晶硅薄膜,实现微晶硅电池的产业化已经成为国际光伏领域研究热点。本论文采用VHF—PECVD技术,以高速制备器件质量级微晶硅材料为目标,系统研究了激发频率和总气体流量对微晶硅薄膜的电学性质及其结构特性的影响;同时也关注了有源层的厚度和气体总流量对微晶硅电池的影响。
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:本文对VHF.PEcVD制备的本征微晶硅薄膜和电池进行了电学特性和结构特性方面的测试分析研究。电学测试结果给出制备薄膜的激活能为0.51eV,符合电池对材料的电学参数要求;拉曼散射谱测试结果计算得到样品的晶化率为63%;x射线衍射结果也证明材料晶化,同时(220)方向择优;首次在国内用VHF—PEcVD方法制备出效率为5%的微晶硅电池(^c=2lmA/cm2,yoc=0.46V,FF=51%,A
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采用V HF2PECVD 技术制备了不同功率系列的微晶硅薄膜和电池,测试结果表明:制备的适用于微晶硅电池的有源层材料的暗电导和光敏性都在电池要求的参数范围内. 低功率或高功率条件下,电池从n 和p 方向的喇曼测试结果是不同的,在晶化率方面材料和电池也有很大的差别,把相应的材料应用于电池上时,这一点很重要.采用V HF2PECVD 技术制备的微晶硅电池效率为5 % ,Voc = 0145V , J
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单室VHF-PECVD制备微晶硅薄膜及其在电池中的应用.
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:利用VHF-PECVD方法沉积了一系列不同晶化率的微晶硅薄膜太阳电池,并分别在白光和红光两种光源下进行了老化实验。通过对比白光光照前后电池开路电压Voc和Raman谱的变化,结果发现光照前后微晶硅薄膜的微结构几乎没有变化;同时研究了不同晶化率微晶硅薄膜太阳电池在白光下的J-V特性与量子效率(QE)变化,以及低晶化率的太阳电池在两种光源下的衰退情况,结果表明微晶硅薄膜太阳电池光衰退现象主要发生在对
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借助RF2PECVD 辅助RTP 技术,采用高沉积气压的技术路线制备了优质的微晶硅薄膜,并利用拉曼光谱、反射谱和透射谱分别研究了微晶硅的晶化率和光学性质. 实验中发现微晶硅的吸收边出现了相对红移,此相对红移可归结于薄膜晶化率的提高和带尾态密度的降低.
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低温PECVD沉积高质量SiO2
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PECVD岗位培训教材
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扩展的PECVD制造大面积太阳能电池
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