等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是制备非晶硅太阳能电池aoSi：H薄膜材料应用最广泛的技术。非晶硅材料在可见光内有较高的吸收系数，原材料来源广泛，可实现低成本的大面积薄膜沉积，使之具有有广阔的应用前景。
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17 2019-11-28 11:05:25高效叠焊组件的技术发展与市场前景
17 2019-11-28 10:51:31铸锭单晶——光伏竞价时代的选择
17 2019-11-25 16:55:35周浪教授-光氢储充离网独立充电系统理念与实践OFweek2019
以聚酰亚胺膜作为柔性衬底材料 , 用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 技术制备氢化非晶硅薄膜 . 喇曼(Raman) 光谱分析表明适当温度下的退火工艺使氢化非晶硅薄膜具有均匀的微硅晶体结构和良好的表面质量 . 在扫描电子显微镜下进行的力学性能实验研究表明 , 由于非晶硅薄膜和聚酰亚胺膜之间较强的相互作用 , 使非晶硅薄膜具有优异的柔韧力学性能。
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PECVD法制备硅太阳电池SiN薄膜工艺研究进展
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本实用新型涉及太阳电池的生产技术领域，具体涉及一种用于提升PECVD镀膜均匀性的装置，包括沉积腔、射频电极和进气系统，还包括设置于沉积腔下方的真空系统，沉积腔为管式真空腔体，进气系统采用纵向进气的方式，包括位于沉积腔一侧的进气装置。
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Centrotherm PECVD系统是管式系统，采用平行式石墨舟和低频（40kHz）激发等离子体放电。在低压和高温的条件下，等离子体在石墨舟的石墨惦记之间激发。反应的气体是硅烷和氨气。这些气体反应之后沉积到衬底（硅片）上，形成氮化硅薄膜。薄膜的折射率可以通过调整两种气体的比例而调整。
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采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) ,在单晶硅衬底上生长氮化硅(SiN) 薄膜,再对薄膜进行快速热退火处理,研究了在不同温度下SiN 薄膜的退火特性. 通过椭圆偏振光仪测量了 薄膜厚度和薄膜的折射率,发现退火后薄膜的厚度下降,折射率升高; 采用准稳态光电导衰减QSSPCD 测少数载流子寿命,发现少子寿命有很大程度的下降. 还研究了SiN
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非晶硅薄膜PECVD 法制备与光学性质表征。
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17 2019-11-25 16:55:35周浪教授-光氢储充离网独立充电系统理念与实践OFweek2019
解析了太阳能电池片PECVD技术的原理及发展
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薄膜太阳能电池-PECVD
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非晶硅薄膜太阳能电池-PECVD
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2013-05_Manz_cSi_PECVD_EN.
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文章报道了通过适当氢稀释(RH一15)和合适的衬底温度(Ts一170~C)下，用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅(na—si：H)薄膜，并将其用作pin太阳电池的本征层。经过电池结构和工艺条件的优化设计，在p／i，i／n界面插入渐变带隙缓冲层，制备出了glass／ITO／p-a-SiC：H／i—na—si：H／n—nc—si：H／
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平板式pecvd专用镀膜挂件
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AMORPHOUS SILICON MULTILAYER SOLAR CELL DEPOSITED BY PECVD METHOD
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采用VHF-PECVD 技术制备了不同衬底温度的微晶硅薄膜样品。傅立叶变换红外吸收（FTIR）对制备薄膜进行了结构方面的测试分析。结果表明：随着衬底温度的升高,材料的微结构因子（R）逐渐增大,薄膜中氧含量也逐渐增加；同高衬底温度相比,低温（170℃）制备的材料易于后氧化，这说明低温制备材料的稳定性不好。
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