采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) ,在单晶硅衬底上生长氮化硅(SiN) 薄膜,再对薄膜进行快速热退火处理,研究了在不同温度下SiN 薄膜的退火特性. 通过椭圆偏振光仪测量了 薄膜厚度和薄膜的折射率,发现退火后薄膜的厚度下降,折射率升高; 采用准稳态光电导衰减QSSPCD 测少数载流子寿命,发现少子寿命有很大程度的下降. 还研究了SiN
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未设置昵称 2020-10-20 09:53:32EVA 老化机理以及对太阳电池的影响
17 2019-11-28 11:05:25高效叠焊组件的技术发展与市场前景
17 2019-11-28 10:51:31铸锭单晶——光伏竞价时代的选择
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PECVD法生长氮化硅
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介绍了一种用于太阳能行业淀积氮化硅薄膜的等离子增强化学气相淀积设备．叙述了该设备的结构组成，并重点阐述了工艺原理及关键技术的改进。
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用脉冲PECVD涂镀柔韧碳氟化合物丝涂层
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钝化膜的功能 • PECVD技术分类 • 各种PECVD技术简介 • 各种PECVD技术比较
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卧式PECVD在太阳能光伏行业中的应用
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2011第六届亚洲太阳能光伏工业论坛上，中科院电工研究所太阳能电池技术研究室主任王文静，《PECVD技术晶体硅太阳电池的最新进展》。 本站有幸得到了演讲的第一手资料，绝对原版，值得珍藏。 ppt主要内容： 1、并国内生产线的技术水平到底在哪个水平？ 2、单、多晶硅电池降低成本的途径？ 3、丝网印刷的极限在哪？
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采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) ,在单晶硅衬底上生长氮化硅(SiN) 薄膜,再对薄膜进行快速热退火处理,研究了在不同温度下SiN 薄膜的退火特性. 通过椭圆偏振光仪测量了薄膜厚度和薄膜的折射率,发现退火后薄膜的厚度下降,折射率升高; 采用准稳态光电导衰减QSSPCD 测少数载流子寿命,发现少子寿命有很大程度的下降. 还研究了SiN
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等离子增强化学气相淀积(P lasma2enhanced Chem ical V aper Depo sit ion, PECVD )SiN x 薄膜在微电子和微机械领域的应用越来越重要. 它的一个重要的物理参数—— 机械应力, 也逐渐被人们所重视. 本文研究了应力跟一些基本的淀积条件如温度、压力、气体流量等之间的关系. 讨论了应力产生的原因以及随工艺条件变化的机理. 通过工艺条件的合理选择,
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对PECVD生长氮化硅介质膜的工艺条件进行了实验研究,获得了生长氮化硅介质膜的最佳工艺条件,制作出了高质量的氮化硅质膜.
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