高速沉积微晶硅薄膜，实现微晶硅电池的产业化已经成为国际光伏领域研究热点。本论文采用VHF—PECVD技术，以高速制备器件质量级微晶硅材料为目标，系统研究了激发频率和总气体流量对微晶硅薄膜的电学性质及其结构特性的影响；同时也关注了有源层的厚度和气体总流量对微晶硅电池的影响。
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17 2019-11-28 11:05:25高效叠焊组件的技术发展与市场前景
17 2019-11-28 10:51:31铸锭单晶——光伏竞价时代的选择
17 2019-11-25 16:55:35周浪教授-光氢储充离网独立充电系统理念与实践OFweek2019
：本文对VHF．PEcVD制备的本征微晶硅薄膜和电池进行了电学特性和结构特性方面的测试分析研究。电学测试结果给出制备薄膜的激活能为0．51eV，符合电池对材料的电学参数要求；拉曼散射谱测试结果计算得到样品的晶化率为63％；x射线衍射结果也证明材料晶化，同时(220)方向择优；首次在国内用VHF—PEcVD方法制备出效率为5％的微晶硅电池(^c=2lmA／cm2，yoc=0．46V，FF=51％，A
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硅烷浓度是影响等离子体增强化学气相沉积硅薄膜材料特性的一个重要参数。本文通过调节硅烷浓度，得到了系列位于非晶，微晶过渡区内的材料。研究发现：在非晶，微晶过渡区内存在着一个特别的区域，该区域内的材料光敏性比普通非晶硅高。以这部分材料作为太阳电池的本征层，通过优化电池结构，在Sn02衬底上制备pin型太阳电池，电池的初始开路电压(Voc)达到了0．916 V。
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HIT新型异质结太阳电池技术介绍
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高性能HIT太阳电池的特性及其应用前景
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微晶硅(斗c—Si：田是国际公认的新一代硅基薄膜太阳能电池材料。综述了微晶硅的基本特性，器件质量级材料的表征参量，材料的生长技术，微晶硅在太阳电池中的应用及其发展前景。
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微晶硅太阳电池。
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:利用VHF-PECVD方法沉积了一系列不同晶化率的微晶硅薄膜太阳电池，并分别在白光和红光两种光源下进行了老化实验。通过对比白光光照前后电池开路电压Voc和Raman谱的变化，结果发现光照前后微晶硅薄膜的微结构几乎没有变化;同时研究了不同晶化率微晶硅薄膜太阳电池在白光下的J-V特性与量子效率(QE)变化，以及低晶化率的太阳电池在两种光源下的衰退情况，结果表明微晶硅薄膜太阳电池光衰退现象主要发生在对
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Si基薄膜叠层太阳电池中光的优化分配。
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硅薄膜太阳电池技术是光伏领域最具低成本优势的光伏技术, 目前已成为各国光伏计划支持的重点。相比于 非晶硅电池, 相变区的微晶硅薄膜太阳电池几乎没有光致衰退, 且具有良好的长波段光谱响应特性, 可以和非晶硅薄膜电池相结合制备成叠层电池。而当电池衬底使用柔性薄膜材料后, 薄膜电池的研制工艺技术更具有特殊性。本文回顾了硅基薄膜电池的研究历史,
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目前，主流的光伏组件产品仍以硅为主要原材料，仅以硅原材料的的消耗计算，生产1兆瓦晶体硅太阳电池，需要10-12吨高纯硅，但是如果消耗同样的硅材料用以生产薄膜非晶硅太阳电池可以产出超过200兆瓦。
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能源和环境问题是近十几年来世界关注的焦点，为了实现能源和环境的可持续发展，世界各国都将光伏发电作为发展的重点。在各国政府的大力支持下，光伏产业发展迅，最近10年太阳电池及组件生产的年平均增长率达到33%，最近5年的年平均增长率达到43％. 07 年全球光伏系统装置容量达2,826MW，较06 年大增62%.
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半导体量子点太阳电池目前是一个十分热门的研究领域，在未来新能源利用领域具有潜在的应用价值。首先，介绍了几种量子点敏化电极的制备技术。然后，着重评述了ＣｄＳ，ＣｄＳｅ和ＰｄＳ量子点敏化太阳电池近年的研究进展。通过对大量最新的相关文献进行总结发现，电池的性能主要受量子点的组装技术、能带结构以及基体材料等因素的影响。最后，分析了该领域中目前存在的问题，并提出了今后研究的对策，包括采用两种量子点共敏化方法
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量子点太阳电池研究进展。
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量子点太阳电池的探索。
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