系统一般由太阳电池组件组成的光伏方阵、太阳能充放电控制器、蓄电池组、逆变器、直流负载和交流负载等构成。
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未设置昵称 2020-10-20 09:53:32EVA 老化机理以及对太阳电池的影响
17 2019-11-28 11:05:25高效叠焊组件的技术发展与市场前景
17 2019-11-28 10:51:31铸锭单晶——光伏竞价时代的选择
17 2019-11-25 16:55:35周浪教授-光氢储充离网独立充电系统理念与实践OFweek2019
晶体硅太阳电池规模化生产技术的新进展.
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N型硅——高效太阳电池的希望。
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一个多晶硅锭的生产周期大约需要60 小时,包括加热、熔化、生长、退火、冷却5 个步骤。多晶硅锭具有厘米级大晶粒、柱状晶粒结构、电阻率均匀性好、杂质含量低等特点。经多线切割机切成厚度为0.325mm 的多晶硅片,大规 模生产多晶硅太阳电池,电池平均转换效率达到14.7%。
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n型晶体硅具有体少子寿命长、无光致衰减等优点,非常适合制作高效低成本太阳电池。结合PC1D模拟,对n型晶体硅太阳电池的最新研究成果进行了分析,指出n型晶体硅太阳电池要实现产业化必须先解决P型硅表面钝化、硼扩散和硼发射极金属化等问题。最后预测了n型晶体硅太阳电池的产业化前景。
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研究背景 晶体硅太阳电池背面钝化方法介绍 实验及结果分析 结论及展望
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高效率、低成本是晶体硅太阳电池发展的主流方向。背接触电池以其独特的器件结构、简单的制备工艺及较高的电池效率,备受光伏市场的关注。概括了目前国际上研究较多的几种背接触硅太阳电池,对其结构特点、制造技术及发展概况作了系统介绍,并在此基础上提出了需要改进的问题及未来的发展方向。
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非晶硅太阳电池是 20 世纪 70 年代中期发展起来的一种新型薄膜太阳电池, 与其他太阳电池 相比,非晶硅电池具有以下突出特点: 1).制作工艺简单,在制备非晶硅薄膜的同时就能制作 pin 结构. 2).可连续,大面积,自动化批量生产. 3).非晶硅太阳电池的衬底材料可以是玻璃,不锈钢等,因而成本小. 4).可以设计成各种形式,利用集成型结构,可获得更高的输出电压和光电转换效率.
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本实用新型涉及太阳电池的生产技术领域,具体涉及一种用于提升PECVD镀膜均匀性的装置,包括沉积腔、射频电极和进气系统,还包括设置于沉积腔下方的真空系统,沉积腔为管式真空腔体,进气系统采用纵向进气的方式,包括位于沉积腔一侧的进气装置。
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AFORS-HET软件模拟N型非晶硅/p型晶体硅异质结太阳电池
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17 2019-11-25 16:55:35周浪教授-光氢储充离网独立充电系统理念与实践OFweek2019
文章报道了通过适当氢稀释(RH一15)和合适的衬底温度(Ts一170~C)下,用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅(na—si:H)薄膜,并将其用作pin太阳电池的本征层。经过电池结构和工艺条件的优化设计,在p/i,i/n界面插入渐变带隙缓冲层,制备出了glass/ITO/p-a-SiC:H/i—na—si:H/n—nc—si:H/
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本项目拟利用纳米硅薄膜带隙可调特性,通过控制纳米硅薄膜的制备工艺条件,采用变带隙和三叠层结构方案,在玻璃或不锈钢柔性衬底上制备高效廉价、性能稳定的薄膜太阳电池。
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低温沉积p型氢化纳米硅与非晶硅pin顶衬太阳电池.
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17 2019-11-25 16:55:35周浪教授-光氢储充离网独立充电系统理念与实践OFweek2019
该文报道了通过适当氢稀释(RH = 15) 和合适的衬底温度( Ts = 170°C) 下, 用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅( naOSi∶H)薄膜, 并将其用作p in太阳电池的本征层。经过电池结构和工艺条件的优化设计,在p / i, i/n界面插入渐变带隙缓冲层, 制备出了glass/ ITO /pOaOSiC ∶H / iOnaOSi∶H /nOncOSi∶H /Al结构的p
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本文讨论了A 型微晶硅薄膜性能随硅烷浓度(4:)的变化。采用B 射线衍射仪(B0C),拉曼光谱仪和傅立叶变换红外吸收光谱仪(3690)对薄膜的结构进行了表征。随硅烷浓度的增加,微晶硅薄膜材料的生长速率和暗电导率(!D)逐渐增大,光学带隙逐渐降低。当硅烷浓度为)’ *E 时,硅基薄膜材料是以非晶硅为主并有散落的微晶硅颗粒的非晶硅结构。当硅烷浓度为,’
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