为了满足“神光2”装置上的物理实验需求，上海激光等离子体研究所联合同济大学和深圳大学研发了四分幅X射线K-B显微镜成像系统。
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等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是制备非晶硅太阳能电池aoSi：H薄膜材料应用最广泛的技术。非晶硅材料在可见光内有较高的吸收系数，原材料来源广泛，可实现低成本的大面积薄膜沉积，使之具有有广阔的应用前景。
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在si ( 111) 衬底上分别预沉积0，0．1，o．5，1 nm厚度的In插入层后，采用等离子辅助分子束外延法制备了纤锌矿结构的I nN材料，结合x射线衍射(XRD) 、扫描电子显微镜(SEM) 、吸收谱及光致发光谱研究了不同厚度的I n插入层对外延I nN晶体质量和光学特性的影响。XRD和SEM的测试结果表明，在s i 衬底上预沉积O．5 nm厚的I n插入层有利于改善外延I
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基于非线性光学原理,周期性金属纳米结构与非线性光学材料复合可以实现全光开关。通过数值模拟周期性金属纳米结构附近的电磁场可知,周期性金属纳米结构的表面等离子体激元有着明显的局域场增强特性。这种强的局域场可以大大增加非线性材料的三阶非线性效应,使全光调控现象更明显,从而降低开关的阈值功率,并实现超快的响应速度,有望在将来全光通信网络中得到广泛应用。
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以聚酰亚胺膜作为柔性衬底材料 , 用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 技术制备氢化非晶硅薄膜 . 喇曼(Raman) 光谱分析表明适当温度下的退火工艺使氢化非晶硅薄膜具有均匀的微硅晶体结构和良好的表面质量 . 在扫描电子显微镜下进行的力学性能实验研究表明 , 由于非晶硅薄膜和聚酰亚胺膜之间较强的相互作用 , 使非晶硅薄膜具有优异的柔韧力学性能。
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Centrotherm PECVD系统是管式系统，采用平行式石墨舟和低频（40kHz）激发等离子体放电。在低压和高温的条件下，等离子体在石墨舟的石墨惦记之间激发。反应的气体是硅烷和氨气。这些气体反应之后沉积到衬底（硅片）上，形成氮化硅薄膜。薄膜的折射率可以通过调整两种气体的比例而调整。
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采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) ,在单晶硅衬底上生长氮化硅(SiN) 薄膜,再对薄膜进行快速热退火处理,研究了在不同温度下SiN 薄膜的退火特性. 通过椭圆偏振光仪测量了 薄膜厚度和薄膜的折射率,发现退火后薄膜的厚度下降,折射率升高; 采用准稳态光电导衰减QSSPCD 测少数载流子寿命,发现少子寿命有很大程度的下降. 还研究了SiN
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等离子清洗技术
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一种用于太阳电池增效的等离子体激源的制备方法
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目前平板显示技术包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示器(PDP)、发光二极管(LED)显示器、有机发光显示器(OLED)、场致发射显示器(FED)、数字微镜显示器(DLP)、电子纸(E—PAPER)等等。该文介绍并比较了各种平板显示技术的原理、特点以及目前平板显示技术的发展状况，总结了各种平板显示器的发展前景。
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从CRT到液晶，显示技术的更迭速度似乎比较的慢，但是进入新千年后，频率明显加快了，液晶开始显得不那么前卫，等离子显示也被抛入了历史的深渊，OLED，4K，IGZO以及蓝宝石等技术呈现“你方唱罢我登台”的趋势，今天我们就来盘点近期热门的显示技术。
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本发明涉及一种用于沉积薄膜太阳能电池的多级等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备，属于太阳能电池技术领域。
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为了比较简单地在同一外延片上得到具有不同带隙结构的有源器件与无源器件的ＰＩＣ（光子集成电路）和ＯＥＩＣ（光电 子集成电路），采用等离子诱导ＱＷＩ（量子阱混杂）与ＲＴＡ
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