光刻加工与光刻技术

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光刻技术的发展

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光刻技术的现状和发展

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涂布型氧化物半导体TFT特性介绍

　本文介绍亚洲最大的显示器国际会议“22th International Display Workshops（IDW ‘15）”上，关于氧化物半导体TFT的脱真空、脱光刻“绿色工艺”，以及TFT特性的主题演讲。过去，此类主题的演讲大都来自研究机构，这次还出现了厂商。

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TP(触摸屏)原理及制作流程

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光刻工艺的种类与发展

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采用LDI技术制作微结构和光刻图案

市场对精细结构需求的增长，使得微流体技术在诸多领域的应用和研究更为深入，如化学、生物、医药、物理、成像学以及生命科学等。LPKF ProtoLaser LDI能够在实验室内完成更加柔性且快速的微流体通道样品的制作。

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高效率GaN基高压LED芯片的制备及COB封装

本文制备具有16 个发光单元串联的HVLED芯片，采用光刻胶和SiO2双层掩膜使刻蚀后的隔离沟槽的侧壁平缓以便于电极连接，研究了隔离沟槽宽度对芯片电学性能和光学性 能的影响。使用商品化的镜面铝基板和陶瓷基板对HVLED进行封装，研究了注入电流、温度、基板对器件电学性能和光学性能的影响。

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非晶硅光电池片及其制造方法

本发明非晶硅光电池片及其制造法，特别涉及一种外联式集成小型片光电池及应用激光技术的制造方法.其产品特征在于光电池片的每个单元电池的透明导电腕图形是相同的.目的在于使用激光法制取透明导电膜集成图形.其方法特征在于将先进的激光切割技术应用于透明导电膜和非晶硅层集成图形加工以代替工艺复杂的光刻法和掩膜法.

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局部背接触结构单晶硅太阳电池的研究

报道了采用局部背接触结构的激光刻槽埋栅太阳电池的研究结果。模拟分析了局部背接触结构的作用, 设计了合理的电池结构。通过工艺优化,得到了转换效率达到17. 28 %(大气质量AM = 1. 5 G,VOC = 650. 4 mV ,JSC = 33. 15 mA/ cm2 , FF= 0. 8014 ,电池面积为4 cm2 )的太阳电池。

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3D打印技巧

提起3D打印，很多人一定会认为，这是一个非常新的技术，但是事实上并不是这样。3D打印技术的历史，并不比喷墨打印短多少，它诞生于1986年。将数字化的3D图形转化成为物理实物，这一想法最早是由美国人查尔斯.豪尔申请的专利（Charles W.

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脉冲激光束照射石墨层制备纳米金刚石薄膜

研究人员在提升金属强度的实验过程中有了意外收获，他们利用脉冲激光束照射在石墨层，制备出了纳米金刚石薄膜（nanodiamond films）并实现了光刻烧蚀。

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LED芯片分选加工的制作流程

外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。

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2016或是涂布型氧化物半导体TFT量产元年

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多光束纳秒紫外激光制作硅表面微结构

该研究是改变硅表面微结构， 优化硅材料特性的一种新方法， 并扩展了大功率激光刻蚀在表面微加工领域的应用．

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