理论研究了偏硼酸钡晶体的非共线情况时的参量放大理论特性。模拟了第I类和第II类BBO晶体的相位匹配角、增益带宽、最佳非共线角和转换效率。数值模拟结果对BBO晶体的实际参量放大研究有很重要的意义。
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基于chartered 0.35 μm工艺，采用PMOS管作为输入管的折叠式共源共栅结构，设计了一种采用增益提高技术的两级运算放大器.利用Cadence公司的spectre对电路进行仿真，该电路在3.3 V电源电压下具有125.8 dB的直流开环增益，2.43 MHz的单位增益带宽，61.2°的相位裕度，96.3 dB的共模抑制比.
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