本篇应用笔记将介绍如何利用示波器获取MAX5976热插拔电路中MOSFET功耗和负载电容的精确值。
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利用电容、电感的储能的特性，通过可控开关(MOSFET等)进行高频开关的动作，将输入的电能储存在电容(感)里，当开关断开时，电能再释放给负载，提供能量就是开关电源。其输出的功率或电压的能力与占空比(由开关导通时间与整个开关的周期的比值)有关。开关电源可以用于升压和降压。
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PDPI 2022-09-15 15:19:37培养“新工科”人才，安徽工程大学与天马微电子签订战略合作协议
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技术宅 2021-09-10 11:19:06有金属衬底的钢网如何高效设计
本文介绍功率mosfet工作原理、几种常见的mosfet驱动电路设计，功率mosfet驱动电路原理图。
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功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花时间执行数个供货商所使用的成本缩减策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及更低成本的塑料封装。
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Vishay Siliconix设计和生产面向工业、可再生能源、计算、消费及照明市场的高压MOSFET（HVM）。我们拥有电压范围为50 V至1000 V的广泛器件，其中采用我们最新超结技术的器件的电压范围为500 V至650 V 。
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该系统采用GPS技术对移动目标进行实时定位，利用GSM数字移动通信网络进行实时数据传输。整个系统是由GPS卫星定位系统和地面移动通信系统两大部分组成，而地面移动通信系统是由指挥监控中心、车载移动单元和GSM通信网络三个部分组成。
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IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特 性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N
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这篇文章针对四轴飞行器无位置传感器无刷直流电机的驱动控制，设计开发了三相六臂全桥驱动电路及控制程序。设计采用ATMEGA16单片机作为控制核心，利用反电势过零点检测轮流导通驱动电路的6个MOSFET实现换向。
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MOSFET已经是开关电源领域的绝对主力器件。但在一些实例中，与MOSFET相比，双极性结式晶体管 (BJT) 可能仍然会有一定的优势。特别是在离线电源中，成本和高电压（大于 1kV）是使用BJT而非MOSFET的两大理由。
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IGBT是功率器件技术演变的最新产品，是未来功率器件的主流发展方向。IGBT器件(绝缘栅双极型晶体管)是一种MOSFET与双极晶体管复合器件。基于技术和功能上的优势，IGBT产品可以实现对以往功率器件产品的逐步替代。
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电源作为一切电子产品的供电设备，除了性能要满足供电产品的要求外，其自身的保护措施也非常重要，如过压、过流、过热保护等。一旦电子产品出现故障时，如电子产品输入侧短路或输出侧开路时，则电源必须关闭其输出电压，才能保护功率MOSFET和输出侧设备等不被烧毁，否则可能引起电子产品的进一步损坏，甚至引起操作人员的触电及火灾等现象，因此，开关电源的过流保护功能一定要完善。
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电源系统开关控制器的MOSFET选择是一个复杂的过程。不仅仅要考虑MOSFET的额定电压和电流，还必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。如果是多负载电源系统则更加复杂。但如果选择正确，就可以实现低成本、高效率的电源系统。
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由于双极型功率器件比MOSFET便宜，一般是2美分左右一个，所以一些设计师为了降低LED驱动成本而使用双极型功率器件，这样会严重影响电路的可靠性，正确的做法是要选用MOSFET器件，MOSFET器件的使用寿命要远远长于双极型器件。
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