中国研究人员们采用一种混合奈米晶体的途径，在氮化铟镓(InGaN)/氮化镓(GaN)蓝光LED结构的奈米孔洞中填充奈米晶体，据称可大幅提高白光LED的效率。
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LED照明的神圣目标就在于以最高能效与最佳成本效益的方式实现白光，而这也一直是制造商和学术界之间最热门的讨论话题。
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In含量对InGaN_GaN+LED光电性能的影响
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![[论文]LED背光源用于场序彩色LCD的研究](/uploadfile/file_thumb/file_7963_cover.jpg)
以红色LED材料AlGaInP，绿色和蓝色LED材料InGaN三芯合一的全彩LED为研究对象，通过大量实验及所测数据，研究用高密高位LED作场序彩色液晶显示器背光源，在不同情况下形成的彩色对人眼的视觉影响；研究在不同场频和不同占空比情况下，LED的发光特性曲线，确定白平衡情况下LED三基色的等量关系；研究LED三基色形成的白光光谱与三基色各光谱之间的关系；比较LED三基色与电视系统三基色在色度图上
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通过对不同驱动电流下各种颜色LED 结温和热阻测量, 发现各种颜色LED 的热阻值均随驱动电流的增加而变大, 其中基于InGaN 材料的蓝光和白光LED 工作在小于额定电流下时, 热阻上升迅速; 驱动电流大于额定电流时, 热阻上升速率变缓。其他颜色LED 热阻随驱动电流变化速率基本不变。
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GaN作为新型的宽禁带半导体材料，一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。GaN属于直接带隙材料，可与InN，AlN形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金（AlGaN、InGaN、AlInGaN），对应的波长覆盖了红光到近紫外光的范围，而且具有化学稳定性和热稳定性好等优越的特性，因此在光电子领域具有极大的应用前景。
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