ASDA-A2 系列為一高解析開放型(Open type)的伺服驅動器,操作時須安裝于屏蔽式的控制箱內。本驅動器利用精密的反饋控制及結合高速運算能力的數字信號處理器(Digital SignalProcessor, DSP),來控制IGBT 產生精確的電流輸出,用來驅動三相永磁式同步交流伺服電機(PMSM)以達到精準的定位。
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ASDA-B系列为一开放型伺服驱动器,操作时须安裝于遮蔽式的控制箱內。本驱动器利用精密的反馈控制与结合高速运算能力的数字信号处理器,控制IGBT产生精确的电流輸出,用來驱动三相永磁式同步交流伺服电机达到准确定位。
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IGBT为顺应电动机可变速驱动装置和电子计算机的备用电源装置等的电力变换而开发的,具有高速交换功能、高电压大电流处理能力,今后将有更大发展。本文就富士IGBT模块箱大家做一介绍
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为了得到高达20kHz的开关频率,赛米控在SKiM®功率模块中集成了三电平逆变器结构。SKiM® IGBT产品组合为光伏和UPS市场上提供了最优的效率。相对于标准两电平解决方案减少的损耗,用于三电平逆变器的SKiM ®在15 kHz频率范围内可减少高达10%的损耗。
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中国半导体产业将进入产业大发展的战略机遇期,报告中着重分析了高亮LED产业、太阳能电池产业、IGBT产业、光通信芯片产业等四个产业的发展机会。这些技术都将成为未来市场的热点,吸引了众多业界目光。中国半导体设计、制造、封测同步发展,结构日趋合理,产业链逐步完善。封测业曾经一度占到中国半导体产业产值的70%以上。近年来,设计和制造业快速发展,封测相对发展缓慢,三足鼎立局面形成。
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诸如高环境温度、暴露于机械冲击以及特定的驱动循环等环境条件,要求对IGBT功率模块的机械和电气特性给予特别的关注,以便在整个使用寿命期间能确保其性能得到充分发挥,并保持很高的可靠性。本文对IGBT的功率和热循环、材料选型以及电气特性等问题和故障模式进行了探讨。
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在UPS中使用的功率器件有双极型功率晶体管、功率MOSFET、可控硅和IGBT,IGBT既有功率MOSFET易于驱动,控制简单、开关频率高的优点,又有功率晶体管的导通电压低,通态电流大的优点、使用IGBT成为UPS功率设计的首选,只有对IGBT的特性充分了解和对电路进行可靠性设计,才能发挥IGBT的优点。本文介绍UPS中的IGBT的应用情况和使用中的注意事项。
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要产生火花,所需的器件包括电源、电池、变压器(即点火线圈),以及用于控制变压器初级电流的开关。电子学教科书告诉我们V=Ldi/dt。因此,如果线圈初级绕组中的电流发生瞬间变化(即di/dt值很大),初级绕组上将产生高压。如果该点火线圈的匝比为N,就能按该绕线匝数比放大原边电压...
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IGBT在以变频器及各类电源为代表的电力电子装置中得到了广泛应用。IGBT集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体,具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快和工作频率高等优点。
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