静电放电是CMOS电路中最为严重的失效机理之一，严重的会造成电路自我烧毁。论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性，研究了在CMOS电路中ESD保护结构的设计原理，分析了该结构对版图的相关要求，重点讨论了在I/O电路中ESD保护结构的设计要求。
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技术宅 2021-09-10 11:19:06有金属衬底的钢网如何高效设计
在人们的日常工作生活中，静电放电(ESD)现象可谓无处不在，瞬间产生的上升时间低于纳秒(ns)、持续时间可达数百纳秒且高达数十安培的电流，会对手机、笔记本电脑等电子系统造成损伤。
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随着LED应用环境的多元复杂化，LED下游商对上游晶粒品质的要求日趋严苛，如LED耐静电测试（Electrostatic Discharge，ESD）的电压值就从原本4kV要求，逐渐提高到8kV，以容忍户外的恶劣环境。所以高压LED耐静电测试为目前LED晶粒点测机中，急待开发的关键模组。
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显然，这些设备所包含的电子产品需要“瘦身”，除了功能芯片外，最重要的电子组件应该是提供静电防护的ESD静电二极管。
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肖特基势垒整流器一般用在单晶硅和多晶硅光伏（PV）电池板的旁路二极管中，在热点出现低分流阻抗和高分流阻抗的情况下保护光伏电池（参见文档中图1）。在旁路应用中，肖特基整流器具有低正向压降的优点，而且比普通P-N结整流器的功率耗散更小。然而，这种器件的缺点是反向电压击穿特性较低，很容易因ESD（静电放电）的电过应力（EOS）和感应的高电压而损坏...
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随着LED业内竞争的不断加剧，LED品质受到了前所未有的重视。LED在制造、运输、装配及使用过程中，生产设备、材料和操作者都有可能给LED带来静电(ESD)损伤，导致LED过早出现漏电流增大，光衰加重，甚至出现死ce灯现象，静电对LED品质有非常重要的影响。
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ESD(静电放电)是CMOS电路中最为严重的失效机理之一，严重的会造成电路自我烧毁。论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性，研究了在CMOS电路中ESD保护结构的设计原理，分析了该结构对版图的相关要求，重点讨论了在I/O电路中ESD保护结构的设计要求。
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技术宅 2021-09-10 11:19:06有金属衬底的钢网如何高效设计
对于电子产品而言，保护电路是为了防止电路中的关键敏感型器件受到过流、过压、过热等冲击的损害。保护电路的优劣对电子产品的质量和寿命至关重要。随着消费类电子产品需求的持续增长，更要求有强固的静电放电(ESD)保护，同时还要减少不必要的电磁干扰(EMI)/射频干部(RFI)噪声。此外，消费者希望最新款的消费电子产品可以用小尺寸设备满足越来越高速度的连接能力。
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我们通常携带的便携设备很容易受如静电放电(ESD)的外部噪声影响。为防止设备因外部噪声干扰发生故障或损坏，有必要采取抗扰措施。
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