硅片厚度对多晶硅太阳电池性能的影响
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17 2019-11-25 16:55:35周浪教授-光氢储充离网独立充电系统理念与实践OFweek2019
为了进一步降低多晶硅太阳电池的成本，研究了硅片厚度对多晶硅太阳电池的短路电流密度、开路电压和效率的影响。可以看出，在保证多晶硅太阳电池性能不变或者提高的前提下，硅片厚度可以减小到200 u m，如果继续减小厚度，电池的性能将会下降。
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采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) ,在单晶硅衬底上生长氮化硅(SiN) 薄膜,再对薄膜进行快速热退火处理,研究了在不同温度下SiN 薄膜的退火特性. 通过椭圆偏振光仪测量了 薄膜厚度和薄膜的折射率,发现退火后薄膜的厚度下降,折射率升高; 采用准稳态光电导衰减QSSPCD 测少数载流子寿命,发现少子寿命有很大程度的下降. 还研究了SiN
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17 2019-11-25 16:55:35周浪教授-光氢储充离网独立充电系统理念与实践OFweek2019
摘要：采用超高频等离子增强化学气相沉积技术，逐次高速沉积非晶硅顶电池及微晶硅底电池，形成 pin/pin型非晶硅／微晶硅叠层电池。通常顶电池的n层与底电池的p层均采用微晶硅材料来形成隧穿复合结，然而该叠层电池的光谱响应测试结果表明，顶电池存在着明显的漏电现象 针对该问题作者提出，在顶电池的微晶硅n
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17 2019-11-25 16:55:35周浪教授-光氢储充离网独立充电系统理念与实践OFweek2019
针对锂电池户外充电困难的问题，设计了以太阳能为动力源，采用HT46R24单片机控制能量转换和锂电池充电过程的充电器。为保证电池性能和使用寿命，采用三段式充电算法并提供了相应的报警、显示功能。
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