与 G e 品格匹配的 G al nPdG a(In)A s／ G e 三结电池材料系统无论对于空间还是地面阳光，都不是最理想的选择 。
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未设置昵称 2020-10-20 09:53:32EVA 老化机理以及对太阳电池的影响
17 2019-11-28 11:05:25高效叠焊组件的技术发展与市场前景
17 2019-11-28 10:51:31铸锭单晶——光伏竞价时代的选择
17 2019-11-25 16:55:35周浪教授-光氢储充离网独立充电系统理念与实践OFweek2019
介绍了晶格失配和反向生长等新技术及量子阱等新材料在Ⅲ一V化合物半导体太阳电池方面的研究进展。探讨了相关的技术发展概况和技术难点，并就未来的发展趋势进行了展望。
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以硅太阳电池为例：结构示意图如图 1。硅太阳电池是以硅半导体材料制成的大面积 PN 结经串联、并联构成.
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太阳能电池如下图所示。一般多选用在p型硅衬底上扩散型硅衬底上扩散n型硅形成太阳电池雏形。
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详细介绍了硅太阳电池的基础原理，以及发展历程
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高性能HIT太阳电池的特性及其应用前景
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众所周知，晶体硅太阳电池组件的表面阴影、焊接不良及单体电池功率不匹配等因素是导致输出功率降低的主要原因，研究这些因素的影响不仅对制造晶体硅太阳电池组件有指导作用
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在太阳电池标准测试条件之外 , 定义了太阳电池室内测试条件 , 研究了该条件下的微光光照强度对几种常见太阳电池效率的影响和它们的光谱响应.
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非晶硅太阳电池在弱光条件下的性能分析
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介绍了砷化镓 ( GaAs) 太阳电池的特点 , 并比较了液相外延 (LPE) 和金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 两种外延生长技术。
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采用热氧化法在多晶硅及单晶硅大面积太阳电池上生长二氧化硅钝化膜 , 结合丝网印刷制电极及二氧化钛减反射膜工艺 , 使太阳电池的扩散长度及效率得到改进。也进行了在多晶硅太阳电池上采用等离子沉积法制作氮化硅减反射膜的研究。
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介绍了晶体硅太阳电池表面钝化技术的发展历程, 表面钝化膜在晶体硅太阳电池中所起的作用, 以及晶体硅太阳电池中各种钝化膜和表面钝化技术。
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单晶硅太阳电池铝背场的欧姆接触影响其输出特性，采用新的工艺技术降低电池的串联电阻势在必行。
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非晶硅/单晶硅电池的结合,吸收太阳光谱范围宽;非晶硅PN结,能在200℃以下低温下沉积。
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对在北京地区屋面上固定角度安装（目前光伏发电应用中最常见的安装形式）的非晶硅和多晶硅太阳电池组件进行了近二年的数据采集，纪录了北京地区温度数据和太阳电池阵列的实际发电量，分析了它们各自的特点。
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