采用提拉法生长了白光LED 用Ce.SmYAG单晶,用XRD 对物相进行分析, 探讨了不同因素对L ED 器件光电参数的影响, 采用LE D 老化仪对不同封装形式的LE D 器件进行了光衰测试, 结果表明: 采用不同支架封装对LED 器光电参数影响很小; 提高晶片厚度可以增加光效, 但光谱中黄绿光成分随之增加, 色度坐标偏离白光区域; 随着测试电流的降低, 器件光效显著增加, AB
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贡献者: luoyuelian
标签:LED器件
分类:
半导体照明
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