根据AlGaInP外延片的结构特点设计了LED型微显示器件的主要结构。利用Markus2Christian Amann等人提出的模型对器件电流注入后的空间分布进行了简单的理论分析,总结出了像素元和上隔离沟槽的理想尺寸分别是16μm ×16μm 和2μm。简述了减薄GaAs 衬底的作用,设计衬底电隔离沟槽宽度为5μm。
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已有0人评价 浏览:121次 下载:10次 贡献者: wenku 标签: 分类: 半导体照明
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