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在晶片的两个极上加一电场，会使晶体产生机械变形；在石英晶片上加上交变电压，晶体就会产生机械振动，同时机械变形振动又会产生交变电场，虽然这种交变电场的电压极其微弱，但其振动频率是十分稳定的。
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AMD未来将更专注开发先进GPU绘图晶片技术，让VR或AR能运用在医疗辅助和工厂监控等更多应用领域。
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LED磊晶，就是所谓的LED半导体晶片，半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一部分是N型半导体，在这边主要是电子。
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在LED产业链接中，上游是LED衬底晶片及衬底生产，中游的产业化为LED芯片设计及制造生产，下游归LED封装与测试，研发低热阻、优异光学特性、高可靠的封装技术是新型LED走向实用、走向市场的产业化必经之路。
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大功率LED灯珠主要构成器件为大功率LED芯片，如何制造高品质LED高功率晶片至关重要。常见的制造大功率LED芯片的方法有以下5种。
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采用提拉法生长了白光LED用Ｃｅ．Ｓｍ ＹＡ Ｇ 单晶， 用XRD对物相进行分析， 探讨了不同因素对LED器件光电参数的影响， 采用LED老化仪对不同封装形式的LED器件进行了光衰测试， 结果表明： 采用不同支架封装对LED器件光电参数影响很小； 提高晶片厚度可以增加光效， 但光谱中黄绿光成分随之增加， 色度坐标偏离白光区域； 随着测试电流的降低， 器件光效显著增加，
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免封装晶片已成为封装的发展趋势，本文使用覆晶二极体来制作免封装晶片，不但可提高散热并增加出光角度，且能免除传统打线的失效，简化制程提升良率，缩小封装面积。另外，使用平坦化机台制作萤光胶层，可减少萤光粉用量，达到控制成本的目的。经由实验分析知消耗功率为1 W时，色温3000K（以下称WFC-3000）封装体光通量为104.41 lm，色温4000K（以下称WFC-4000）封装体光通量为113.74
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采用提拉法生长了白光ＬＥＤ 用Ｃｅ．ＳｍＹＡＧ单晶，用ＸＲＤ 对物相进行分析， 探讨了不同因素对Ｌ ＥＤ 器件光电参数的影响， 采用ＬＥ Ｄ 老化仪对不同封装形式的ＬＥ Ｄ 器件进行了光衰测试， 结果表明： 采用不同支架封装对ＬＥＤ 器光电参数影响很小； 提高晶片厚度可以增加光效， 但光谱中黄绿光成分随之增加， 色度坐标偏离白光区域； 随着测试电流的降低， 器件光效显著增加， ＡＢ
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经过漫长的流程，从设计到制造，终于获得一颗 IC 晶片了。然而一颗晶片相当小且薄，如果不在外施加保护，会被轻易的刮伤损坏。此外，因为晶片的尺寸微小，如果不用一个较大尺寸的外壳，将不易以人工安置在电路板上。因此，本文接下来要针对封装加以描述介绍。
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LED的PN结发热首先要通过晶片半导体材料自身向外传导到晶片的表面，这个有一定的热阻。从LED元件的角度来讲，因封装的结构而异，晶片与支架之间也会有大小不等的热阻。这两个热阻之和构成了LED的热阻Rj-a。
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LED(Light Emitting Diode)即发光二极管已被广泛认为是下一代主要照明工具，相比于现在使用的白炽灯而言，其具有寿命长、节能、安全等优点。
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智能穿戴电子产品需要将处理器、GPU、记忆体、I/O与通讯功能全部挤进单晶片，必然要利用硅穿孔(TSV)的晶片堆叠技术来达到理想的元件整合度。随着未来智能穿戴设备日益普及，TSV相关产品和材料市场面临爆发式增长机会。TSV技术达到世界先进水平的山海新阳必然带来新一轮的增长。
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立体眼镜是一个穿透液晶镜片，通过电路对液晶片开、关的控制，开可以控制眼镜镜片全黑，以便遮住一眼图像；关可以控制眼镜镜片为透明的，以便另一眼看到另一眼该看到的图像。
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近十几年来，为了开发蓝色高亮度发光二极管，世界各地相关研究的人员无不全力投入。而商业化的产品如蓝光及绿光发光二级管LED 及激光二级管LD 的应用无不说明了III－V 族元素所蕴藏的潜能
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