IGMP是接入网的主要功能之一。首先阐述了在EPON中IGMP运行机制，同时，根据中国电信EPON设备技术要求，分析了IGMP功能在具体实现上的优缺点，提出了IGMP功能实现的优化解决方案。
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10:4 Mux Gearbox is used to convert a single 100Gb/s link striped across 10 lanes into 4x25G lanes, and a 4:10 DeMux Gearbox is used to convert the 4x25G lanes back to a single 100Gb/s link striped
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2010 年中国市场(不包括台湾及港澳地区)LED 荧光粉总销售量为10.9 吨。进入2011 年，GLII 预估LED 荧光粉的市场需求量将进一步提升至18.5 吨，同比增长70%。其中在中国大陆的跨国企业天津三星LED、惠州LG 中国工厂LED 荧光粉使用数量大幅度增长是主要动力之一
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我公司库存一LG SV185IS5-4N0 的变频器。接修时IGBT 烧毁，CPU 板亦坏，在修理后试机时再次烧毁CPU 板，可谓损失惨重。后判断为电源电压过高，因资料不足而搁置起来。
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GaN作为新型的宽禁带半导体材料，一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。GaN属于直接带隙材料，可与InN，AlN形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金（AlGaN、InGaN、AlInGaN），对应的波长覆盖了红光到近紫外光的范围，而且具有化学稳定性和热稳定性好等优越的特性，因此在光电子领域具有极大的应用前景。
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根据AlGaInP外延片的结构特点设计了LED型微显示器件的主要结构。利用Markus2Christian Amann等人提出的模型对器件电流注入后的空间分布进行了简单的理论分析，总结出了像素元和上隔离沟槽的理想尺寸分别是16μm ×16μm 和2μm。简述了减薄GaAs 衬底的作用，设计衬底电隔离沟槽宽度为5μm。
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飞思卡尔的产品系列包括8位集成解决方案，我们具有构建于16架构之上的S08LG产品系列及S12HY产品，并且都具有同时驱动显示器和模拟厚度的性能。通过在专用产品系列中提供具有丰富的图片经验和模拟厚度控制，我们的32位产品系列实现了对于仪表板空间的改进。
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利用分子束外延方法生长了激射波长约为9μm 的GaAs/ Al0145 Ga0155 As 量子级联激光器. 条宽35μm ,腔长2mm 的器件准连续激射温度最高达120K,81K下未经收集效率修正的峰值功率超过70mW.
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