砷化镓太阳能电池的制备工艺
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计算机拉制砷化镓单晶的数学模型及其最佳控制
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双结砷化镓太阳能电池(GaAs)
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GaAs(砷化镓)太阳能电池详解及特性研究
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介绍了砷化镓 ( GaAs) 太阳电池的特点 , 并比较了液相外延 (LPE) 和金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 两种外延生长技术。
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非晶硅薄膜太阳能电池
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美国的阿尔塔设备公司使用外延层剥离技术，用砷化镓制造出了最高转化效率达28.4%的薄膜太阳能电池。
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砷化镓太阳电池与Si电池、硅光电池的比较
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砷化镓太阳能电池(GaAs)可靠性研究
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砷化镓太阳能电池的市场需求发展很快，在北京、上海等地销售持续增长。由于砷化镓太阳能电池原料获取成本较高，制造工艺也比普通砷化镓太阳能电池更为讲究
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讨论了硅与砷化掉背场太阳能电池中背面高低蛄的光佚效应和工作原理，并针对硅与砷化悼背_I寿太舟拈电池对比研究》一文中关于太阳能电池背_I寿的柞用和工柞机理研究提出了商榷意见。
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砷化镓是半导体材料中,兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能，但由于它在高温下分解，故要生长理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高。
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就世界的角度来说，砷化镓电池主要还是应用在宇宙空间探测利用等方面，在地面使用较少
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红外线发光二极管由红外辐射效率高的材料（常用砷化镓GaAs）制成PN 结，外加正向偏压向PN结注入电流激发红外光。光谱功率分布为中心波长830～950nm，半峰带宽约40nm 左右。
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