LED是英文light emitting diode(发光二极管)的缩写,它的基本结构是一块电致发光的半导体材料,置于一个有引线的架子上,然后四周用环氧树脂密封,起到保护内部芯线的作用,所以LED的抗震性能好。
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微晶硅薄膜是介于非晶硅和单晶硅之间的一种混合相无序半导体材料,是由几十到几百纳米的晶硅颗粒镶嵌在非晶硅薄膜中所组成的
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以硅太阳电池为例:结构示意图如图 1。硅太阳电池是以硅半导体材料制成的大面积 PN 结经串联、并联构成.
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太阳能电池是利用半导体材料的光电效应,将太阳能转换成电能的装置.
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碳纳米材料中,最有可能替代硅的有两个,碳纳米管和石墨烯。在石墨烯获得诺贝尔奖之前,碳纳米管一直被认为是最有可能代替硅的半导体材料,而如今,由于石墨烯在全球范围内的狂热,似乎有代替碳纳米管之势。
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技术创新是推动产业发展的永恒动力。当前,在科技强国的背景下,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体材料凭借着其优异的特性得到了世界各国的高度重视。
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砷化镓是半导体材料中,兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小,导热性差,不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能,但由于它在高温下分解,故要生长理想化学配比的高纯的单晶材料,技术上要求比较高。
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无论什么材料制成的LED,都有一个相对光辐射最强处,与之相对应有一个波长,此波长为峰值波长,它由半导体材料的带隙宽度或发光中心的能级位置决定。
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LED全称为半导体发光二极管,采用半导体材料制成的,以直接将电能转化为光能,电号转换成光信号的发光器件;其特点是功耗低、高亮度、色彩艳丽、抗振动、寿命长(正常发光8-10万小时)、冷光源等优点,是真正的“绿色照明”。
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LED芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极,并能满足可接触材料之间最小的压降及提供焊线的压垫,同时尽可能多地出光。渡膜工艺一般用真空蒸镀方法,其主要在1.33×10?4Pa高真空下,用电阻加热或电子束轰击加热方法使材料熔化,并在低气压下变成金属蒸气沉积在半导体材料表面。
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LED(Light-Emitting Diode)是发光二极管的简称,它是由半导体材料制造出来的,它有一个正极和一个负极,在它的正负极施加直流电就会发光,从1907年开始,到1993 年,LED经历86年历史,LED技术的应用大体分为视觉类与非视觉类,视觉类的应用有LED照明技术,非视觉类有植物光合与医疗保健。
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LED的PN结发热首先要通过晶片半导体材料自身向外传导到晶片的表面,这个有一定的热阻。从LED元件的角度来讲,因封装的结构而异,晶片与支架之间也会有大小不等的热阻。这两个热阻之和构成了LED的热阻Rj-a。
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