制备了ZnSe 晶体, 对其生长和加工工艺进行了研究, 提出了一些合理的解决办法。测试结果表明, 所得ZnSe 晶体适合用于红外窗口材料。
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薄膜太阳电池是指厚度在微米量级的材料制备成的薄膜太阳电池，其特点是该种材料对太阳光的吸收系数很高，可以在较薄的厚度吸收大部分太阳能量。
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本项研究分析检验了LED对迎面司机所造成的不舒适眩光及对逆反射交通指示材料显色性的影响。
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虽然2010年上半年全球光伏市场重回增长轨道，但上游原材料高纯度多晶硅价格并未再次出现2008年之前的大幅上扬态势。全球光伏产业发展到现阶段，已经逐步步入理性发展时期，再加上随着不少厂商的持续扩产，2008年之前市场上供需不平衡的现状基本得到缓解。
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OLED，即有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode），为自发光材料，不需用到背光板，同时视角广、画质均匀、反应速度快、较易彩色化、制程简单、可制作成挠曲式面板，符合轻薄短小的原则，而且驱动电压低、能耗低，可与太阳能电池、集成电路等相匹配。
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MOCVD技术在半导体材料和器件及薄膜制备方面取得了巨大的成功。尽管如此，MOCVD仍是一种发展中的半导体超精细加工技术，MOCVD技术的进一步发展将会给微电子技术和光电子技术带来更广阔的前景。
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2009年，日本太阳能电池总出货量为1,387,025kW，其中国内总出货量为483,960kW，出口903,065kW，占总出货量65.1%，大大低于上年同期出口比重。按材料分类来看，单晶硅电池出货478,174kW，多晶硅电池出货734,721kW，合1,212,895kW；薄膜电池出货量为144,693kW，其他电池出货量为29,437kW。各种材料电池出货量比重分别为：单晶硅占34.5%，
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诸如高环境温度、暴露于机械冲击以及特定的驱动循环等环境条件，要求对IGBT功率模块的机械和电气特性给予特别的关注，以便在整个使用寿命期间能确保其性能得到充分发挥，并保持很高的可靠性。本文对IGBT的功率和热循环、材料选型以及电气特性等问题和故障模式进行了探讨。
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在通信领域中,光纤传输具有传输频带宽,通信容量大,损耗低,不受电磁干扰,光缆直径小,质量轻,原材料来源丰富等优点。因而,近年来,光纤通信在许多领域得到了广泛应用
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GaN作为新型的宽禁带半导体材料，一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。GaN属于直接带隙材料，可与InN，AlN形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金（AlGaN、InGaN、AlInGaN），对应的波长覆盖了红光到近紫外光的范围，而且具有化学稳定性和热稳定性好等优越的特性，因此在光电子领域具有极大的应用前景。
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![深圳市2009年—2015年LED产业发展规划[附图表]](/uploadfile/file_thumb/file_980_cover.jpg)
深圳市已设立“深圳国家半导体照明工程产业化基地联席会议”，积极推进LED产业发展。目前，基本形成“衬底材料—外延片—芯片—封装—应用”相对完整的产业链，为产业发展奠定了良好的基础。未来5—10年，是现代LED技术产业化应用大规模展开。
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激光产生高强度和高方向性的光束。如果对准、反射或聚焦到一个物体上，激光将部分被吸收，会使物体表面或内部温度升高，引起材料的局部变化或变形。这些性质应用到激光手术和材料加工也会引起组织破坏。
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太阳能电池是利用半导体的光生伏特效应，许多材料都可以用来做太阳能电池，因而太阳能电池的种类很多。
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钙钛矿氧化物具有介电、铁电、压电、光电、超 导、巨磁电阻以及光学非线性等非常丰富的特性与 效应［"—)］. 随着高质量钙钛矿氧化物薄膜材料的制 备和研究的深入
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光通量、显色性、色温和光衰是衡量白光LED光源的四大重要指标。LED从指示、显示应用过渡到照明应用，产品的光衰控制和评价是一个重要的课题。本文通过相关的实验，探讨封 装材料及其工艺措施对白光LED的光衰的影响。
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