硅单晶掺杂非常均匀以及硅单晶的目标电阻率可以通过辐照剂量加以很好地控制,伴随热中子的捕获,高能量的快中子与硅晶格院子发生碰撞,而产生大量的辐照缺陷和损伤,这些辐照缺陷和损伤对硅材料和器件的电学性能产生很大影响。
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已有0人评价 浏览:164次 下载:38次 贡献者: pan519906 标签:单晶硅 分类: 太阳能光伏
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