随着5G技术日益成熟，未来射频功率放大器(RF PA)市场将出现显著成长，但传统的LDMOS制程将逐渐被新兴的氮化镓(GaN)取代……
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中国研究人员们采用一种混合奈米晶体的途径，在氮化铟镓(InGaN)/氮化镓(GaN)蓝光LED结构的奈米孔洞中填充奈米晶体，据称可大幅提高白光LED的效率。
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首先，让我们看看什么是OLED。OLED，即有机发光二极管又称为有机电激光显示(Organic Light-Emitting Diode)，由美籍华裔教授邓青云在实验室中发现，由此展开了对OLED的研究。
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LED照明的神圣目标就在于以最高能效与最佳成本效益的方式实现白光，而这也一直是制造商和学术界之间最热门的讨论话题。
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先简单介绍一下，AMOLED屏是英文Active-matrix organic light emitting diode的简写，拥有超高的色彩还原能力和色彩逼真程度，而能耗的降低与超薄的设计更是得众多手机厂商的青睐。
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传统上，GaN器件被封装为分立式器件，并由单独的驱动器驱动，这是因为GaN器件和驱动器基于不同的处 理技术，并且可能来自不同的厂商。
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传统上，GaN器件被封装为分立式器件，并由单独的驱动器驱动，这是因为GaN器件和驱动器基于不同的处理技术，并且可能来自不同的厂商。
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蓝宝石虽然稳坐衬底材料的龙头地位，但随着产业的不断发展，竞争日趋激烈，基于蓝宝石衬底的技术发展变缓，再加上其成本高昂、专利壁垒等问题，众多专家与工程师开始寻求性价比更高的解决方案：不同的衬底材料，硅衬底被业界寄予了很高的厚望。
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利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2inch（5．08cm）Si（111）图形衬底上生长了GaN外延薄膜，在Al组分渐变AlGaN缓冲层与GaN成核层之间引入了AlN插入层，研究了AlN插入层对GaN薄膜生长的影响。结果表明，随着AlN插入层厚度的增加，GaN外延膜（002）面与（102）面X射线衍射摇摆曲线半峰全宽明显变小，晶体质量变好，同时外延膜在放置过程中所产生的裂纹密度逐渐减小直至不产生
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功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花时间执行数个供货商所使用的成本缩减策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及更低成本的塑料封装。
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本文制备具有16 个发光单元串联的HVLED芯片，采用光刻胶和SiO2双层掩膜使刻蚀后的隔离沟槽的侧壁平缓以便于电极连接，研究了隔离沟槽宽度对芯片电学性能和光学性 能的影响。使用商品化的镜面铝基板和陶瓷基板对HVLED进行封装，研究了注入电流、温度、基板对器件电学性能和光学性能的影响。
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LED 正装芯片是最早出现的芯片结构，也是小功率芯片中普遍使用的芯片结构。该结构，电极在上方，从上至下材料为：P-GaN，发光层，N-GaN，衬底。所以，相对倒装来说就是正装。
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目前在LED制程中，蓝宝石基板虽然受到来自Si与GaN基板的挑战，但是考虑到成本与良率，蓝宝石在近两年内仍然具有优势，可以预见接下来蓝宝石基板的发展方向是大尺寸与图案化（PSS）。
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照明技术的物质基础是光源。因此，照明技术的发展是基于光源技术的发展的。自20世纪90年代三位日裔科学家赤崎勇、天野浩和中村修二在GaN基蓝光LED技术取得的重大突破以来，LED技术快速发展。
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